RFD8P05
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | RFD8P05 |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 48W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Grundproduktnummer | RFD8P |
RFD8P05 Einzelheiten PDF [English] | RFD8P05 PDF - EN.pdf |
P-CHANNEL POWER MOSFET
CCS811 CO2 AND VOC IAQ KIT
RFD8P03LSM96
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
WIRELESS IOT 3D TOF DEVELOPMENT
HARRIS TO-252
INTERSIL TO-252
MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
P-CHANNEL POWER MOSFET
AS6200 PRECISION TEMPERATURE KIT
ENS210 TEMPERATURE AND HUMIDITY
SIMBLEE DEVELOPMENT KIT
MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
8A, 50V, 0.300 OHM, P-CHANNEL
TMG4903 RGB AND PROXIMITY KIT
RFD8P06 INFINEON
RFD8P03LSM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RFD8P05onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|